RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
42
Около 43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
42
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2701
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link