RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB против Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
55
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
55
Скорость чтения, Гб/сек
16.2
9.3
Скорость записи, Гб/сек
9.7
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2636
2078
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Сравнения RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link