Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8 4GB

Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00 4GB против Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00 4GB

Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8 4GB

Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    40 left arrow 62
    Около -55% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.4 left arrow 7.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    7.7 left arrow 4.2
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    62 left arrow 40
  • Скорость чтения, Гб/сек
    7.6 left arrow 13.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    4.2 left arrow 7.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1098 left arrow 2185
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения