Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8 4GB

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB против Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8 4GB

Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8 4GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    13.7 left arrow 13.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.1 left arrow 7.7
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    40 left arrow 42
    Около -5% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    42 left arrow 40
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.7 left arrow 13.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.1 left arrow 7.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2173 left arrow 2185
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения