Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8 4GB

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8 4GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Punteggio complessivo
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Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8 4GB

Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8 4GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.7 left arrow 13.4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.1 left arrow 7.7
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    40 left arrow 42
    Intorno -5% latenza inferiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    42 left arrow 40
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.7 left arrow 13.4
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.1 left arrow 7.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2173 left arrow 2185
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