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Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8 4GB
Confronto
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.7
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
7.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
42
Intorno -5% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
42
40
Velocità di lettura, GB/s
13.7
13.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2173
2185
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1600D364L9/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
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