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Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8 4GB
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Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
42
Por volta de -5% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
42
40
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
7.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2173
2185
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8 4GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1600D364L9/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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