Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 29

Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.3 16.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.5 12.0

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

29 22
Скорость чтения, Гб/сек

16.9 18.3
Скорость записи, Гб/сек

12.0 12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 19200

Other

Описание

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2601 3122

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Kingston 9905744-076.A00G 16GB

Kingston 9905744-076.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB

Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

Kingston 9905701-029.A00G 16GB

Kingston 9905701-029.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB

Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB

Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB

Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB

модули RAM