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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
29
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
22
读取速度,GB/s
16.9
18.3
写入速度,GB/s
12.0
12.5
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3122
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
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