RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
73
Около 44% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.8
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
13.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
73
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
15.1
Скорость записи, Гб/сек
8.8
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2394
1724
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link