RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
73
Около 44% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.8
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
13.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
73
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
15.1
Скорость записи, Гб/сек
8.8
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2394
1724
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Kingston 99U5403-159.A01LF 8GB
Kingston 9905471-081.A00LF 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link