RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
42
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
18.1
Скорость записи, Гб/сек
9.4
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
3564
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link