RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
42
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.3
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
21.3
Скорость записи, Гб/сек
9.4
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
4151
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link