RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
78
Около 46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.2
11.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.4
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
78
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
11.3
Скорость записи, Гб/сек
9.4
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
1816
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link