RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.2
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.4
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
42
Около -17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
12.6
Скорость записи, Гб/сек
9.4
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2055
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link