RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.4
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
42
Intorno -17% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
36
Velocità di lettura, GB/s
13.2
12.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2326
2055
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link