RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
42
Около -56% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
18.5
Скорость записи, Гб/сек
9.4
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
3061
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link