RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
42
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
17.5
Скорость записи, Гб/сек
9.4
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
3260
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kllisre 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link