RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
48
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
13.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
48
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
17.5
Скорость записи, Гб/сек
9.4
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2196
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link