RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
48
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
13.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
48
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
17.5
Скорость записи, Гб/сек
9.4
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2196
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link