RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.2
9.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.4
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
42
Около -20% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
9.1
Скорость записи, Гб/сек
9.4
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2229
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link