RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
61
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
8.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
61
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
17.4
Скорость записи, Гб/сек
9.4
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2134
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link