RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
61
Intorno 31% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.4
8.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
13.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
61
Velocità di lettura, GB/s
13.2
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2326
2134
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link