RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
17.3
Скорость записи, Гб/сек
9.4
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2096
3299
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link