RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.6
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
40
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
10.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2209
2200
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Сравнения RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Сравнения RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link