RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
40
Около -111% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
19
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
18.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2209
3220
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Сравнения RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link