RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB против Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
44
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
17.3
Скорость записи, Гб/сек
8.6
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2193
3366
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link