RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB против Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
44
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
14.6
Скорость записи, Гб/сек
8.6
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2193
2770
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link