Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

5 15.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,135.0 10.1

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 51

Около -122% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

51 23
Скорость чтения, Гб/сек

5,021.4 15.8
Скорость записи, Гб/сек

2,135.0 10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

855 2373

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB

G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N

модули RAM

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB

Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

модули RAM

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB

Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB

Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB

Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB

Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB

модули RAM

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB

Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB

модули RAM

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB

модули RAM

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB

Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB

Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB

модули RAM