RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB против InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
85
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
5
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.0
2,135.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
85
Скорость чтения, Гб/сек
5,021.4
11.3
Скорость записи, Гб/сек
2,135.0
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
1118
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link