RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,135.0
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около -113% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
24
Скорость чтения, Гб/сек
5,021.4
15.6
Скорость записи, Гб/сек
2,135.0
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
2852
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link