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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
51
左右 -113% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
24
读取速度,GB/s
5,021.4
15.6
写入速度,GB/s
2,135.0
12.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2852
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
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