RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
33
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
33
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
16.1
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
3181
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Kingston HP687515-H66-MCN 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link