RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
36
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
36
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
16.0
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
2353
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link