RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
38
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.5
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
19
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
19.5
Скорость записи, Гб/сек
9.8
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2566
3435
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
INTENSO M418039 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link