RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
35
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
10.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
25
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
10.7
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2426
2544
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link