RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
17.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
3395
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link