RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.4
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
13.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
2354
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Intel 99P5471-013.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link