RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
39
Около -15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.2
Скорость записи, Гб/сек
8.2
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2165
3020
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link