RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
46
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.6
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
46
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
14.2
Скорость записи, Гб/сек
9.4
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2142
2717
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD3L-U4G28HA-16K 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link