RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
32
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.4
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
19.4
Скорость записи, Гб/сек
8.6
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
3726
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link