RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
71
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.0
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
71
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
14.5
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
1863
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link