RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
38
Около 34% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.1
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.8
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
38
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
14.1
Скорость записи, Гб/сек
8.6
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
2483
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link