RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.6
6.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
12.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
13.8
Скорость записи, Гб/сек
8.6
6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
1983
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link