RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
30
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
10600
Около 2.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
16.3
Скорость записи, Гб/сек
8.6
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
23400
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
2761
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link