RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
41
Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
18.2
Скорость записи, Гб/сек
9.7
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
3938
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 99U5402-464.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link