Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 41

Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.9 13.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.6 9.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 31
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 18.9
Скорость записи, Гб/сек

9.7 14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2366 3356

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB

Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston 9905734-061.A00G 32GB

Kingston 9905734-061.A00G 32GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB

A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB

Kingston KM0VW4-MID 8GB

Kingston KM0VW4-MID 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB

Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB

SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Kingston KKN2NM-MIE 4GB

Kingston KKN2NM-MIE 4GB

модули RAM

Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB

Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB

Team Group Inc. DDR4 3600 8GB

Team Group Inc. DDR4 3600 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB

Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB

модули RAM

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB

Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB

модули RAM