RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
41
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость чтения
25.6
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
20.7
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
25.6
Скорость записи, Гб/сек
9.7
20.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
4537
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link