RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
41
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
14.5
Скорость записи, Гб/сек
9.7
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
2429
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link