RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
84
Около 51% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.7
7.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.4
13.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
84
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
14.4
Скорость записи, Гб/сек
9.7
7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
1614
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link