RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
41
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
20.5
Скорость записи, Гб/сек
9.7
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
3649
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link