Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Note globale
star star star star star
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Note globale
star star star star star
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    31 left arrow 41
    Autour de -32% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    20.5 left arrow 13.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    15.5 left arrow 9.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    25600 left arrow 12800
    Autour de 2 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    41 left arrow 31
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.9 left arrow 20.5
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    9.7 left arrow 15.5
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2366 left arrow 3649
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons