RAM-Vergleich Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Gesamtnote

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

31 41

Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

20.5 13.9

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

15.5 9.7

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 12800

Rund um 2 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2366 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns